G-33D4型高精密光刻机

产品介绍：

设备概述

本设备广泛用于各大、中、小型企业、大专院校、科研单位，主要用于集成电路、半导体元器件、光电子器件、光学器件研制和生产,由于本机找平机构**，找平力小，使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光, 这是一台双面对准单面曝光的光刻机,它不仅能完成普通光刻机的任何工作,同时还是一台检查双面对准精度的检查仪。

主要构成LED专用曝光头、

  主要功能特点

（1）4″LED紫外专用曝光头

（2）曝光面积：110mm×110mm；

（3）曝光强度：0～30mw/cm2可调；

（4）紫外光束角：≤3°；

（5）照明不均匀性： ≤3%；

（6）紫外光源寿命：≥2万小时；

（7）采用电子快门；

（8）套刻精度：1μm

（9）观察系统为上下各两个无级变倍、高分辨率单筒显微镜上装四个CCD摄像头通过视屏线连接计算机到19″高清液晶显视屏上。

a、 单筒显微镜为1.6X～10X连续变倍显微镜；

b、CCD摄像机靶面对角线尺寸为：1/3″；

c、 采用19″液晶监视器，其数字放大倍率为19÷1/3=57倍；

d、观察系统放大倍数为：1.6×57=91倍（*小倍数）

10×57=570倍（*大倍数）；