G-25D6型高精密单面光刻机

一、主要用途:

本设备是我公司专门针对各大专院校及科研单位对光刻机的使用特性研发的一种精密光刻机，它主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件的研制和生产。

LED曝光头及部件图

三点找平机构高精度X、Y、Z、Q 调节机构

二、主要技术指标：

1、曝光类型：单面；

2、曝光面积：150×150mm；

3、曝光照度不均匀性： 150×150mm范围内≤±3%；

不均匀性用紫外检测计测量（UV-A型紫外辐照计）

测量5点（如图）

4、曝光强度：≤30mw/cm2可调；

5、紫外光束角：≤3?；

6、紫外光中心波长：365nm；

7、紫外光源寿命：≥2万小时；

8、采用电子快门；

9、曝光分辨率：2μm；

10、曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光；

11、对准范围：X、Y 调节 ±5mm；Q向调节±3°；

12、套刻精度：2μm；

13、分离量；0～50μm可调；

14、曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微力接触曝光；

15、找平方式：气浮找平；

16、显微系统：双视场CCD系统，显微镜91X～570X连续变倍（物镜1.6X～10X连续变倍），双物镜距离可调范围50mm～120mm，计算机图像处理系统，19″液晶监视器；

17、掩模版尺寸： 7″×7″英寸；

18、基片尺寸：Φ6″一件;

19、基片厚度：≤5 mm；

因基片的厚度不同，制作承片台时需要进行分级处理，单独设计制作，1mm为一个等级(基片厚度:0-5mm可分为五个等级：0-1mm,1-2mm,2-3mm,3-4mm,4-5mm)其中：我公司随机配送厚度为0-1mm等级的承片台，若用户还需其余等级承片台（订货时用户须说明，费用另议）。

20、曝光定时：0～999.9秒可调；

21、电源：单相AC220V  50HZ ，功耗≤1.5KW；

22、洁净空气压力：≥0.4MPa；

23、真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；

24.设备所需能源：

主机电源： 220V±10%   50HZ，1.5KW。

洁净空气≥0.4MPα。

真空：-0.07～－0.08MPα。

25.G-26D型高精密光刻机的组成：

由LED紫外曝光头、CCD显微显示系统、对准工作台、电气控制系统构成。